新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)600V至650V的N溝道IGBT器件。通過注入增強(Injection Enhance, IE)與場截止(Field Stop,FS)技(jì )術,新(xīn)潔能(néng)IGBT系列産(chǎn)品在提供行業先進的導通壓降(Vce),并且在導通損耗與關斷損耗(Eoff)之間做出了良好權衡。出色的導通壓降與極短的拖尾電(diàn)流為(wèi)設計師在優化系統效率時提供有(yǒu)力的幫助。此外,新(xīn)潔能(néng)600V至650V IGBT産(chǎn)品具(jù)備良好的短路性能(néng),為(wèi)電(diàn)機驅動領域處理(lǐ)突發事件提供充足的裕量。廣泛應用(yòng)于不間斷電(diàn)源(UPS)、太陽能(néng)逆變器以及所有(yǒu)的硬開關。
N溝道600-650V系列IGBT産(chǎn)品封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。
出色導通壓降
極短拖尾電(diàn)流
優秀短路性能(néng)