新(xīn)潔能(néng)提供的650V和1200V碳化矽功率MOSFET産(chǎn)品，具(jù)有(yǒu)電(diàn)流密度大、擊穿電(diàn)壓高、損耗低等特點。同時，該系列産(chǎn)品具(jù)有(yǒu)優良的短路能(néng)力，為(wèi)應用(yòng)中(zhōng)的突發狀況提供充足的裕量。廣泛應用(yòng)于新(xīn)能(néng)源汽車(chē)、太陽能(néng)逆變器、充電(diàn)樁、服務(wù)器電(diàn)源等領域。另外，帶有(yǒu)額外的開爾文(wén)引腳的TO-247-4P封裝(zhuāng)可(kě)以繞過控制回路上的源極引線(xiàn)電(diàn)感，降低SiC MOSFET的寄生效應并進一步降低器件的開關損耗。