Trench MOSFET
Trench MOS是一種傳統溝槽功率器件，具(jù)有(yǒu)高可(kě)靠性和高性價比，主要适用(yòng)于中(zhōng)低壓場合，尤其是在低壓領域具(jù)有(yǒu)高性價比優勢。
芯長(cháng)征科(kē)技(jì )采用(yòng)先進的溝槽技(jì )術進一步降低了傳統trench MOSFET的導通電(diàn)阻和FOM(RDSON*Qg)，充分(fēn)将器件性能(néng)提高到先進水平，目前主要産(chǎn)品電(diàn)壓覆蓋20V~100V産(chǎn)品系列。主要應用(yòng)于DC-DC，電(diàn)池管理(lǐ)系統、LED、電(diàn)機驅動等等。
産(chǎn)品特點
·低導通電(diàn)阻，低FOM，高EAS能(néng)力，高性價比
産(chǎn)品
| Part Number | Package | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250μA | RDS(on)(mΩ) 25℃ Max | QG(nC) |
| min | max | @VGS=10V | @VGS=4.5V |
| MPTO3N60 | SOT23-3L | 60 | 3 | 1.3 | 2.4 | 80 | 100 | 16 |
| MPTO4N85 | SOT23-3L | 85 | 4 | 1 | 2.4 | 250 | - | 5.5 |
| MPTO2N10 | SOT23-3L | 100 | 2 | 1.2 | 2.5 | 240 | - | 10 |