SGT MOSFET
SGT MOSFET又(yòu)名(míng)屏蔽栅MOSFET，是一種采用(yòng)電(diàn)荷耦合技(jì )術來實現極低導通壓降的單極性功率器件，是一種非常适合中(zhōng)低壓應用(yòng)的高性能(néng)器件。
芯長(cháng)征科(kē)緻力于開發高性能(néng)SGT MOSFET産(chǎn)品，目前覆蓋40V~200V，最大電(diàn)流達到300A，并且通過優化器件寄生電(diàn)容，實現了極低FOM (RDSON*Qg) 優值産(chǎn)品。
産(chǎn)品特點
·低導通電(diàn)阻，低FOM(RDSON*Qg)，高EAS能(néng)力
産(chǎn)品
| Part Number | Package | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250μA | RDS(on)(mΩ) 25℃ Max | QG(nC) |
| Min | Max | @VGS=10V | @VGS=4.5V |
| MPGP10R065 | TO-220 | 100 | 87 | 1.1 | 2.5 | 6.5 | 9 | 30 |
| MPGJ10R7 | DFN5*6 | 100 | 94 | 1.1 | 2.3 | 6.5 | 9 | 50 |
| MPGD10R7 | TO-252 | 100 | 94 | 1.1 | 2.3 | 7 | 9.5 | 50 |