新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)600V至650V的N溝道SJ-III TF系列功率MOSFET産(chǎn)品。為(wèi)了滿足全橋、半橋、LLC諧振開關應用(yòng)中(zhōng)效率及EMI需求，基于新(xīn)潔能(néng)在SJ-III技(jì )術基礎上，在保證良好的導通電(diàn)阻、極低栅電(diàn)荷以及出色的開關速度前提下，增強了超結産(chǎn)品的體(tǐ)二極管反向恢複特性，綜合優化了超結産(chǎn)品由于體(tǐ)二極管反向恢複帶來的損耗以及可(kě)靠性問題。
N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET TF産(chǎn)品封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-263、TO-252、TO-247等。
導通電(diàn)阻低
栅極電(diàn)荷低
開關速度出色
反向恢複特性強