新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)500V至650V的N溝道SJ-IV NF系列功率MOSFET産(chǎn)品。基于新(xīn)潔能(néng)SJ-IV技(jì )術的基礎上,在保證業界先進的超低特征導通電(diàn)阻的前提下,特别優化了體(tǐ)二極管特性,減小(xiǎo)反向恢複電(diàn)荷(Qrr)和反向恢複時間(Trr),大幅度提升了産(chǎn)品的反向恢複速度與反向恢複損耗,特别适用(yòng)于LLC等橋式電(diàn)路中(zhōng)。相比于新(xīn)潔能(néng)SJ-IV産(chǎn)品,可(kě)以為(wèi)設計人員提供更低的系統總損耗,更高的系統可(kě)靠性,以及更大的EMC裕量。
N溝道500-650V系列SJ-IV MOSFET産(chǎn)品封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等。
導通電(diàn)阻低
反向恢複特性強
系統可(kě)靠性更高
EMC裕量大