VD MOSFET                                     

芯長(cháng)征的VD MOSFET——兼有(yǒu)雙極晶體(tǐ)管和普通MOS器件的優點，無論是開關應用(yòng)還是線(xiàn)形應用(yòng)，VDMOS都是理(lǐ)想的功率器件。

芯長(cháng)征VD MOSFET，采用(yòng)條形元胞結構，通過在工(gōng)藝上對N-JFET的調整，減小(xiǎo)JFET效應，使器件的導通電(diàn)阻減小(xiǎo)，從而降低了器件工(gōng)作(zuò)時的溫升，提高了系統的轉換效率，同時在EAS能(néng)力方面具(jù)有(yǒu)較大優勢，産(chǎn)品的電(diàn)壓覆蓋範圍500V~800V，電(diàn)流覆蓋2A~25安(ān)培，可(kě)提供更多(duō)的産(chǎn)品選擇。

産(chǎn)品特點                                                                                                                                                    

·低Crss和低Qg, 降低開關損耗；

·低導通阻抗，降低導通損耗 ；

·高抗浪湧能(néng)力

産(chǎn)品